首片国产6英寸碳化硅晶圆产品在上海临港正式对外发布

  集微网音讯，据上海临港官微报导，10月16日，首片国产6英寸碳化硅（SiC）MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）晶圆在上海临港正式发布，填补了国内在此范畴的空白，未来商场容量可达百亿美金。

  2018年5月1日，首片国产6英寸碳化硅（SiC）MOSFET晶圆诞生于上海瞻芯电子科技有限公司（以下简称“上海瞻芯电子”）。

  该国产6英寸碳化硅MOSFET晶圆，根据碳化硅也便是第三代半导体资料制作成，用于例如新能源车、光伏发电等新能源工业。

  据上海瞻芯电子创始人兼总经理张永熙介绍，假如用了碳化硅MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）新能源轿车作电驱动的线%的提高；比如说用了碳化硅工艺器材的光伏逆变器的话，功率也能够非常大的提高尤其在能耗上面下降50%。

  现在，这款晶圆已经有国内10多家客户进行了试用，其间2家已形成了小批量出货。

  据悉，上海瞻芯电子供给以SiC功率器材、SiC/Si MOSFET驱动芯片、SiC模块为中心的功率转化解决方案，适用于风能逆变、光伏逆变、工业电源、新能源轿车、电机驱动、充电桩等范畴。

  上海瞻芯电子2017年7月17日在上海临港正式注册建立；建立之初，他们就对标世界最先进的技能，一起前瞻性的开发以6英寸为主的碳化硅晶圆。2017年10月上旬完结工艺流程、器材和地图规划，在10月到12月间完结开端工艺实验；而且从2017年12月开端正式流片，在短短不到5个月内战胜种种困难，成功地在一条老练量产的6英寸工艺出产线上完结碳化硅（SiC）MOSFET的制作流程。（校正/图图）

  至信微电子发布全球抢先的平面工艺单核大电流1200V/7mΩ SiC MOSFET芯片

  集微访谈 Victor Veliadis：碳化硅晶圆巨细的本钱与降价逻辑；硅基芯片从IDM到Fabless之路为何不适合碳化硅？

  至信微电子发布全球抢先的平面工艺单核大电流1200V/7mΩ SiC MOSFET芯片