上海瞻芯电子请求碳化硅LDMOS结构专利其器材具有高耐压、尺度小等长处

  金融界2025年1月23日音讯，国家知识产权局信息数据显现，上海瞻芯电子科技股份有限公司请求一项名为“碳化硅LDMOS结构的构成办法、碳化硅LDMOS结构及碳化硅LDMOS器材”的专利，公开号CN 119277803 A，请求日期为2024年10月。

  专利摘要显现，本请求公开了一种碳化硅LDMOS的结构及其构成办法，包含：构成榜首阱区域；构成第二阱区域，第二阱区域与榜首阱区域部分堆叠，而且第二阱区域的注入深度小于榜首阱区域的入深度；成第三区域，第三区域包含于榜首阱区域中，且与第二阱区域部分堆叠，而且第三区域的注入深度小于第二阱区域的注入深度；在第二阱区域的外表制作源极区域，其间，源极区域包含N+区域和P+区域，而且源极区域与榜首阱区域部分堆叠；在第三区域的外表制作漏极区域；在源极区域和第三区域之间的外表制作栅极区域，并构成栅极、源极、漏极的电极。本发明的长处是，经过此办法得到的期间具有高耐压、尺度小的特色，且制作工艺简略，有利于进步制品的良品率。

  天眼查资料显现，上海瞻芯电子科技股份有限公司，成立于2017年，坐落上海市，是一家以从事科技推广和使用服务业为主的企业。企业注册本钱6487.5785万人民币，实缴本钱6487.5785万人民币。经过天眼查大数据分析，上海瞻芯电子科技股份有限公司共对外出资了2家企业，参加招投标项目2次，知识产权方面有商标信息32条，专利信息56条，此外企业还具有行政许可4个。