金刚石半导体研发完成突破性发展 未来有望“走出实验室”

  日本开发出了用金刚石制成的功率半导体，并以1平方厘米875兆瓦的电力运转，被称为“终极功率半导体”。

  被称为“终极功率半导体”、运用金刚石的电力操控用半导体的开发获得发展。日本佐贺大学教授嘉数教授与精细零部件制造商日本Orbray合作开发出了用金刚石制成的功率半导体，并以1平方厘米875兆瓦的电力运转。

  在金刚石半导体中，输出功率值为全球最高，在所有半导体中也仅次于氮化镓产品的约2090兆瓦。与作为新一代功率半导体的碳化硅（SiC）产品和氮化镓（GaN）产品比较，金刚石半导体耐高电压等功能超卓，电力损耗被以为可削减到硅制产品的五万分之一。金刚石功率半导体的耐热性和抗辐射性也很强，到2050年前后，有望成为人造卫星等所必需的构件。

  四方达控股子公司天璇半导体主体事务包含MPCVD设备、CVD金刚石等产品研发。

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