【48812】Wolfspeed启用全球最大8英寸SiC晶圆厂

  4月26日音讯，碳化硅（SiC）大厂Wolfspeed于美国股市4 月25日盘后宣告，其坐落美国纽约州马西（Marcy）Mohawk Valley 的全球最大8英寸碳化硅制作设备正式启用，并于当日举行了剪彩仪式。

  Wolfspeed表明，Mohawk Valley晶圆厂是全球第一个、最大、也是仅有的8英寸（200mm）碳化硅晶圆厂（此前碳化硅器材制作首要根据6英寸的碳化硅晶圆），2029年末前将为当地发明超越600份高科技作业。

  Wolfspeed总裁兼首席执行官Gregg Lowe表明，“我为咱们的团队和一切的协作伙伴感觉到很骄傲，他们在这么短的时刻内发明了这一永存的奇观。该工厂不只将在2022年为客户供给产品，还将为美国的长时刻竞争力供给保证。”

  Gregg Lowe表明，随国际迈向全电动运送，碳化硅技能处于工业过渡至电动车的第一线，帮忙完成优异的功用、续航路程和充电时刻。

  Lucid Motors产品高档副总裁兼首席工程师Eric Bach表明，“将与Wolfspeed协作，在纽约州收购最高质量的碳化硅组件，为电动汽车行业供给更多的美国就业机会。”

  资料显现，碳化硅一种宽禁带化合物半导体资料，相对于传统的硅资料来说，碳化硅归于第三代半导体资料的典型代表，其具有禁带宽度宽、耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特色，具有开关速度快、功率高的优势， 可大起伏下降产品功耗、进步能量转化功率并减小产品体积。现在，碳化硅半导体器材首要运用在于高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要范畴。

  需求指出的是，而碳化硅资料的生长也功率十分低，并不像硅资料那样，能够相对简单的制备出数米长的晶棒。现在碳化硅生长出来体积也相对来说仍是比较小，所以大多数情况下都只能制备成直径100mm或150mm晶圆。并且，碳化硅归于硬度十分高（碳化硅单晶资料莫氏硬度散布在9.2～9.6之间，只是比金刚石的硬度低0.5左右）的脆性资料，因而，碳化硅晶圆的制备损耗十分高（一般损耗高达三分之二），良率也比较低。

  日经亚洲谈论上一年10月报道，Patent Result剖析显现，Wolfspeed的碳化硅专利竞争力处于领头羊，第二至五名依次为罗姆（Rohm Co.）、住友电工、三菱电机以及电装（DENSO）。

  值得一提的是，德国汽车零件供货商博世（Robert Bosch GmbH）自2021年末也开端量产可让电动汽车续航才能添加6%的车用碳化硅功率半导体。

  博世本年2月还宣告，根据旗下车用/消费用微机电体系（MEMS）感测器、碳化硅功率半导体产品需求继续攀升，企业决议加码出资2.5亿欧元以缓解全球芯片缺少现象。

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