第三代半导体材料碳化硅预计2020年全球市场规模将突破6亿美元

  汽车、等应用的推动，全球电力电子碳化硅的市场规模一直增长，预计2020年的市场规模将达6亿美元。在竞争格局方面，行业有突出贡献的公司的经营模式以IDM模式为主，主要的市场占有率被Infineon、Cree、

  碳化硅（SiC）又名碳硅石、金刚砂，是一种无机物，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅（SiC）主要使用在于磨具磨料、冶金原料、半导体器件等领域，其中，在半导体器件领域，碳化硅是第三代半导体材料的代表之一。

  在半导体应用中，SiC大多数都用在电力电子器件的制造。从SiC器件制造流程顺序来看，SiC器件的制造成本中，SiC衬底成本占比50%，SiC外延的成本占比25%，这两大工序是SiC器件的重要组成部分：

  在上游原料供应方面，高纯石英砂是碳化硅的主要的组成原材料之一。因高纯石英砂的制备成本高、加工工艺技术要求高，因此目前全球具备批量生产高纯石英砂的厂商较少。在国外厂商方面，尤尼明、The Quartz Corporation是主要供应商;在国内厂商方面，石英股份是目前国内生产高纯石英砂龙头企业：

  从下游需求情况去看，2018-2019年，受新能源汽车、工业电源等应用的推动，全球电力电子碳化硅的市场规模从4.3亿美元增长至5.64美元，Yole预测未来市场仍将因新能源汽车产业的发展而增长，预计2020年的市场规模将达6亿美元。

  在SiC产业链中，有突出贡献的公司的经营模式以IDM模式为主，主要的市场占有率被德国Infineon、美国Cree、日本罗姆以及意法半导体占据;与国际巨头相比，国内IDM厂商泰科天润、瑞能半导体以及华润微还有较大差距。

  从全球碳化硅（SiC）衬底的公司进行情况去看，2018年，美国CREE公司占龙头地位，市场占有率达62%，其次是美国II-VI公司，市场占有率约为16%。整体看来，在碳化硅市场中，美国厂商占据主要地位。

  作为电子信息技术发展的 基础，经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要求，以

  (SiC)行业研究 /

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  SiC器件是一种新型的硅基MOSFET，特别是SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN结组成。 在众多的

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  ，用于高压、高温、高频场景。大范围的应用于新能源汽车、光伏、工控等领域。因此

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