汽车领域将是未来碳化硅最大的应用市场

  碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势。相较于硅基功率器件，碳化硅基 MOSFET 尺寸能够大大减少为同电压硅基 MOSFET 的十分之一，能量损耗能够大大减少为同开关频率硅基 IGBT 的 30%。

  SiC功率器件下游应用广泛，市场快速放量。得益于优异的能源转换效率，碳化硅功率器件在电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网、家电等领域 均有广泛应用前景。根据 Yole 多个方面数据显示，全球碳化硅功率器件市场规模预计将从 2021 年 10.9 亿美元增长至 2027 年62.97 亿美元，年均复合增长率达 34%，其中新能源车（主逆变器和充电机）、光伏及储能系统贡献了主要增量。汽车领域将是未来碳化硅最大的应用市场。

  2027年，汽车领域碳化硅市场规模将达49.86亿美元，占总规模的79.18%；光伏及储能预计会增长至 2027 年 4.58 亿美元；此外轨道交通领域预计也会为功率器件市场贡献超过 1 亿美元的增量空间。电动车领域新应用不断出现，汽车厂商积极启用碳化硅战略。电动汽车行业是市场空间巨大的新兴市场，随着电动汽车的发展，对功率半导体器件需求量日益增加。目前碳化硅功率器件在电机驱动系统、车载充电系统（OBC）、电源转换系 统（车载DC/DC）和非车载充电桩的使用已经比较普遍。

  800V高压快充平台发展受重，推动汽车续航与整车效率提高。电动车加速渗透对汽车续航能力和充电速率提出了较高要求，相比于 400V 平台，800V 高压平台更契合时代发展需求。首先，相同功率下，800V 高压平台下电流减小，电池性能和动力性能衰退速度减慢，利于节省线束体积，提升系统热量管理能力，降低能损，提升能量利用率的同时轻化整车车身质量。800V 高压快充平台下，汽车续航能力有望增加 10%，充电速度有望提升一倍以上，同时，800V 高压平台下 100kwh 电池减重达 25kg。其次，相同电流下，800V 高压平台下功率增大，800V 电压平台有望使快充功率突破至 350kW，推动峰值充电速率明显提升，显著压缩汽车充电时间，800V 高压快充平台下充电倍率有望实现 2.2C-4C，根据华为多个方面数据显示，800V高压快充下支持 30%-80% SOC 上限功率充电， 而低压大电流模式下仅支持 10%-20% SOC上限功率充电。

  同时，800V 高压平台 利于提升汽车电机功率，实现更高加速性能，提高汽车整车运行效率。新能源车销量持续提升，碳化硅市场空间广阔。伴随着各地政府补贴、退税等政策扶持以及一直在改进完善的充电基础设施，全球新能源汽车的销量和占比均在持续上升，2021 年新能源车销售 650 万辆，同比增长 109%，占比全世界汽车销售总量为 9%，预计到 2025 年，新能源汽车销量将超过 2100 万辆，其中，新能源汽车领域碳化硅渗透率有望超 20%。而随着新能源汽车销量的增长和碳化硅功率器件对碳化硅晶圆的需求也在逐步的提升，预计到 2025 年，全世界电动车市场对 6 英寸碳化硅晶圆的需求将达到169万片。

  文章出处：【微信号：UnitedSiC，微信公众号：UnitedSiC】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。

  的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷大范围的使用在各类应用，如

  也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备，如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣环境下的电子元器件。

  氧化从100℃开始，随着温度的提高，氧化程度愈为明显，到1400℃时为

  （SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs

  材料的耐磨与抗震等机械性能优良，能保证其长久的常规使用的寿命。根据时报，新能源

  封装基板在耐温、抗电磁波、抗震与耐腐蚀等要求上更胜于传统封装基板,因此确保

  前景随信息科技的快速的提升，我国对半导体需求慢慢的变多，我国慢慢的变成了全球

  应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程

  上面没有做任何掩膜，就为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在

  更新换代，SiC并不例外新一代半导体开关技术出现得慢慢的变快。下一代宽带隙技术仍处于初级阶段，有望进一步改善许多应用

  MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，大多数表现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面，具体如下