半导体工业的柱石是芯片,制造芯片的中心资料依照历史进程分为:第一代半导体资料(大部分为现在遍及的运用的高纯度硅),第二代化合物半导体资料(砷化镓、磷化铟),第三代化合物半导体资料(碳化硅、氮化镓) 。
碳化硅因其优胜的物理功能:高禁带宽度(对应高击穿电场和高功率密度)、高电导率、高热导率,将是未来最被遍及的运用的制造半导体芯片的根底资料。
到2025年,新能源轿车与充电桩范畴的碳化硅商场将到达17.78亿美元(约合人民币116.81亿元),约占碳化硅总商场规模的七成。还包括EV、快充桩、UPS电源(通讯)、光伏、轨交以及航天军工等范畴,其间电动车职业有望迎来快速迸发(CAGR81.4%),通讯、光伏等商场空间较大。随同SiC器材本钱下降,全生命周期本钱功能优势有望不断扩大,潜在代替空间巨大。
我国碳化硅锻炼企业首要散布在甘肃、宁夏、青海、新疆、四川等地,约占总产能85%。
现在全球SiC工业格式出现美国、欧洲、日本鼎足之势态势。其间美国全球独大,占有全球SiC产值的70%~80%,碳化硅晶圆商场CREE一家市占率高达6成之多;欧洲具有完好的SiC衬底、外延、器材以及使用工业链,在全球电力电子商场具有强壮的话语权;日本是设备和模块开发方面的肯定领先者。

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