山西第三代半导体技术创新中心请求一种新式沟槽碳化硅芯片结构及制备办法专利提高了芯片的反向击穿电压

  金融界2024年12月25日音讯，国家知识产权局信息数据显现，山西第三代半导体技术创新中心有限公司请求一项名为“一种新式沟槽碳化硅芯片结构及制备办法”的专利，公开号 CN 119170657 A，请求日期为2024年11月。

  专利摘要显现，本发明公开了一种新式沟槽碳化硅芯片结构及制备办法，详细触及半导体技术领域，包含从下而上顺次设置的反面加厚金属、欧姆触摸金属、碳化硅衬底和碳化硅外延层。本发明提出的深度突变的沟槽型场限环结构能够在不添加终端面积的情况下，经过改动场限环的深度，改动电场散布，提高了终端对外表电场的抑制作用，提高了芯片的反向击穿电压，且本发明提出的办法不会添加制作工序，对器材制作本钱添加较小。

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